绝缘子理论模型给出增强的电子密度，在一个正电子半导体或绝缘体主机中。绝缘子模型是基于多体理论的正电子在电子气的筛选更适合于典型的半导体。绝缘子的模型的起点是原子的极化率。在这两种绝缘子模型的通用参数是高频介电常数。此外，绝缘子模型增强依赖于周围的电子密度在半导体模型和绝缘体模型中的晶胞体积。随着开发的模型的使用，完善的半导体和绝缘体晶体中的正电子寿命进行了计算。
　　绝缘子模型在计算中，通过原子叠加的三维电子密度和静电势和全三维正电子波函数的松弛方法来解决。计算出的正电子寿命同意在几皮秒内与实验。此外，我们还利用绝缘子模型来预测寿命被困的晶格缺陷，如职位空缺，空位团的正电子。

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